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SKM100GB125DN
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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6 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 280,230 $ |
| 5+ | 263,410 $ |
| 16+ | 249,400 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
280,23 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM100GB125DN
Code Commande55X3183
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits