Imprimer la page
SKM145GB128DN
IGBT Module, 190 A, 1.2 kV, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM145GB128DN
Code Commande02M8586
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current190A
DC Collector Current190A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
190A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
190A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit