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SKM200GB12V
IGBT Array & Module Transistor, Dual N C
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GB12VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande55X3193
Votre numéro de pièce
4 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 324,400 $ |
| 5+ | 319,870 $ |
| 10+ | 315,330 $ |
| 25+ | 297,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
324,40 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GB12VCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande55X3193
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current311A
Continuous Collector Current311A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
311A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
DC Collector Current
311A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit