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SKM200GM12T4
IGBT Module, 314 A, 1.2 kV, 175 °C
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GM12T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2564
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM200GM12T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2564
Fiche technique
IGBT Configuration-
DC Collector Current314A
Continuous Collector Current314A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo800mV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case Style-
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max800mV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
314A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
800mV
Transistor Case Style
-
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
DC Collector Current
314A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
800mV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit