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SKM300GAL12T4
IGBT Module, Single, 422 A, 1.85 V, 125 °C, Module
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GAL12T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2567
Gamme de produitSEMITRANS Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12+ | 356,900 $ |
| 25+ | 347,930 $ |
| 50+ | 338,950 $ |
| 100+ | 329,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
4 282,80 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM300GAL12T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande77R2567
Gamme de produitSEMITRANS Series
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
IGBT ConfigurationSingle
DC Collector Current422A
Continuous Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMITRANS Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
SEMITRANS Series
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit