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SKM400GB17E4
IGBT Module, Half Bridge, 430 A, 2 V, 150 °C, Module
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM400GB17E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande86W0695
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12+ | 519,610 $ |
| 36+ | 509,210 $ |
| 60+ | 498,830 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
6 235,32 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM400GB17E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande86W0695
Fiche technique
Transistor PolarityDual NPN
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current430A
Continuous Collector Current430A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
430A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
No. of Pins
11Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
430A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit