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SKM450GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 699 A, 1.82 V, 175 °C, Module
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FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM450GB12E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande86W0696
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 12+ | 543,100 $ |
| 36+ | 493,230 $ |
| 60+ | 443,340 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 12
Multiple: 12
6 517,20 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM450GB12E4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande86W0696
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual NPN
Continuous Collector Current699A
DC Collector Current699A
Collector Emitter Saturation Voltage1.82V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.82V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
699A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.82V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
11Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
699A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.82V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificat de conformité du produit