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SKM50GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 122,320 $ |
| 5+ | 97,860 $ |
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM50GB12T4
Code Commande96W3227
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current81A
Continuous Collector Current81A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
81A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit