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SKM50GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 79 A, 1.2 kV, 175 °C, SEMITRANS 2
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 26 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 124,710 $ |
| 16+ | 118,150 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 8
Multiple: 8
997,68 $
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Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKM50GB12V
Code Commande77R2589
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current79A
Continuous Collector Current79A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.2kV
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo940mV
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleSEMITRANS 2
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyV-IGBT
Collector Emitter Voltage Max940mV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
79A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2kV
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
940mV
Transistor Case Style
SEMITRANS 2
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
940mV
Product Range
-
DC Collector Current
79A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Junction Temperature, Tj Max
175°C
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
V-IGBT
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SKM50GB12V
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit