Imprimer la page
GD100HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD100HFY120C1SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande93AC7039
Votre numéro de pièce
26 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 75,520 $ |
| 5+ | 74,020 $ |
| 10+ | 72,450 $ |
| 48+ | 71,660 $ |
| 72+ | 70,890 $ |
| 120+ | 67,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
75,52 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD100HFY120C1SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande93AC7039
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current155A
DC Collector Current155A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation Pd511W
Power Dissipation511W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
155A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
511W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
150°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
155A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
511W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit