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GD150FFX65C6S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 181A ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
5 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 197,830 $ |
| 5+ | 194,260 $ |
| 10+ | 190,520 $ |
| 30+ | 188,640 $ |
| 50+ | 186,830 $ |
| 100+ | 179,480 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
197,83 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD150FFX65C6S
Code Commande84AH5709
Fiche technique
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Continuous Collector Current181A
DC Collector Current181A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd442W
Power Dissipation442W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
DC Collector Current
181A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
442W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Continuous Collector Current
181A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
442W
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2020)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit