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GD300HFX65C2S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 343A
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FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD300HFX65C2SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande84AH5728
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 110,560 $ |
| 5+ | 107,600 $ |
| 10+ | 104,500 $ |
| 36+ | 102,940 $ |
| 60+ | 101,440 $ |
| 108+ | 95,350 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
110,56 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD300HFX65C2SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande84AH5728
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current343A
DC Collector Current343A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation819W
Power Dissipation Pd819W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
819W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
819W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit