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GD50HFU120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Module
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FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50HFU120C1SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande25AK0626
Votre numéro de pièce
231 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 74,270 $ |
| 5+ | 71,310 $ |
| 10+ | 68,310 $ |
| 48+ | 65,260 $ |
| 72+ | 61,980 $ |
| 120+ | 61,010 $ |
| 264+ | 59,570 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
74,27 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50HFU120C1SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande25AK0626
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current78A
DC Collector Current78A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.15V
Collector Emitter Saturation Voltage3.15V
Power Dissipation414W
Power Dissipation Pd414W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
78A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.15V
Power Dissipation Pd
414W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
78A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.15V
Power Dissipation
414W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit