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GD50HFX170C1S
IGBT MODULE, 1.7KV, 100A ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
48 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 54,160 $ |
| 5+ | 52,710 $ |
| 10+ | 51,200 $ |
| 48+ | 50,450 $ |
| 72+ | 49,700 $ |
| 120+ | 46,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
54,16 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD50HFX170C1SCopie
Code Commande25AK0627
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
DC Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd418W
Power Dissipation418W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
418W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
100A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
418W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit