Imprimer la page
GD600HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 324,470 $ |
5+ | 321,270 $ |
10+ | 318,190 $ |
36+ | 305,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
324,47 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD600HFY120C2S
Code Commande93AC7048
Fiche technique
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current1kA
Continuous Collector Current1kA
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation3.409kW
Power Dissipation Pd3.409kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
1kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
3.409kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
1kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
3.409kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit