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GD600HFY120C6S
IGBT Module, Half Bridge, 1.09 kA, 2 V, 3.947 kW, 150 °C, Module
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FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD600HFY120C6SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande93AC7049
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 302,870 $ |
| 5+ | 299,580 $ |
| 10+ | 296,380 $ |
| 25+ | 283,460 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
302,87 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD600HFY120C6SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande93AC7049
Fiche technique
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current1.09kA
DC Collector Current1.09kA
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Power Dissipation3.947kW
Power Dissipation Pd3.947kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
1.09kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
3.947kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
11Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
1.09kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
3.947kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit