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MD300HFC170C2S
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 29 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2 160,680 $ |
| 5+ | 2 139,450 $ |
| 10+ | 2 118,850 $ |
| 36+ | 2 035,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2 160,68 $
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantMD300HFC170C2S
Code Commande84AH6497
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id484A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
On Resistance Rds(on)0.00333ohm
Drain Source On State Resistance0.00333ohm
Transistor Case StyleModule
Power Dissipation Pd-
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Drain Source On State Resistance
0.00333ohm
Power Dissipation Pd
-
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
484A
On Resistance Rds(on)
0.00333ohm
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit