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A2U12M12W2-F2
Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Four N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, ACEPACK 2
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantA2U12M12W2-F2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande33AK8545
Votre numéro de pièce
18 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 286,650 $ |
| 5+ | 277,560 $ |
| 10+ | 272,350 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
286,65 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantA2U12M12W2-F2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande33AK8545
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationThree Level Inverter
Transistor PolarityFour N Channel
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins29Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Three Level Inverter
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
29Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Transistor Polarity
Four N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit