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MJD112T4
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantMJD112T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande06X0511
Votre numéro de pièce
1 187 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,420 $ |
| 10+ | 0,884 $ |
| 100+ | 0,577 $ |
| 500+ | 0,444 $ |
| 1000+ | 0,402 $ |
| 2500+ | 0,355 $ |
| 10000+ | 0,285 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
7,10 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantMJD112T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande06X0511
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current2A
DC Collector Current2A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency25MHz
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Transition Frequency
25MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
20W
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour MJD112T4
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit