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MJD127T4
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 5 A, 1000 hFE
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantMJD127T4
Code Commande33R0843
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current8A
Transition Frequency-
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour MJD127T4
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
Complementary power darlington transistor suitable for use in general purpose linear and switching. Manufactured in planar technology with base island layout and monolithic Darlington configuration.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated antiparallel collector-emitter diode
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Transition Frequency
-
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
100hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
20W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit