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SCT012H90G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, H2PAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT012H90G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AM0269RL
Bandes découpées04AM0269
Votre numéro de pièce
7 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 31,520 $ | 31,52 $ |
| Total Prix | 31,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 31,520 $ |
| 10+ | 22,760 $ |
| 25+ | 21,910 $ |
| 50+ | 21,220 $ |
| 100+ | 20,520 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT012H90G3AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AM0269RL
Bandes découpées04AM0269
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.0158ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0158ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit