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SCT012W90G3-4AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 110 A, 900 V, 0.0158 ohm, HiP247
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT012W90G3-4AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande16AM9218
Votre numéro de pièce
25 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 35,950 $ |
| 10+ | 25,930 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
35,95 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT012W90G3-4AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande16AM9218
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.0158ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0158ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit