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SCTH90N65G2V-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH90N65G2V-7
Code Commande69AH2142
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd484W
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation484W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
484W
Power Dissipation
484W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
116A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit