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STB100N10F7
MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-263
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB100N10F7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande61AC2083
Gamme de produitSTripFET VII DeepGATE
Votre numéro de pièce
216 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,370 $ |
| 10+ | 2,840 $ |
| 25+ | 2,550 $ |
| 50+ | 2,260 $ |
| 100+ | 1,960 $ |
| 250+ | 1,820 $ |
| 500+ | 1,730 $ |
| 1000+ | 1,640 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,37 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB100N10F7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande61AC2083
Gamme de produitSTripFET VII DeepGATE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance6800µohm
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd120W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VII DeepGATE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6800µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET VII DeepGATE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
120W
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit