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STB140NF75T4
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB140NF75T4
Code Commande33R1104
Gamme de produitSTripFET III Series
Fiche technique
151 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,910 $ |
| 10+ | 2,810 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,91 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB140NF75T4
Code Commande33R1104
Gamme de produitSTripFET III Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd310W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
STB140NF75T4 is a N-channel STripFET™ III power MOSFET. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. Typically suitable for switching application.
- 75V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS =0, TCASE=25°C)
- 2 to 4V gate threshold voltage range ( VDS = VGS, ID = 250µA)
- 0.0065ohm typical static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 70A)
- 160S typical forward transconductance (VDS = 15V, ID = 70A)
- <0.0075ohm RDS(on)
- 30ns typical turn-on delay time (VDD = 38V, ID = 70A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 120A maximum source-drain current
- 115ns typical reverse recovery time (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- 450nC typical reverse recovery charge (ISD = 120A, di/dt = 100A/µs, VDD = 35V, Tj = 150°C)
- D²PAK package, maximum operating junction temperature range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
310W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STB140NF75T4
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits