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STB55NF06T4
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB55NF06T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine33R1126RL
Bandes découpées33R1126
Votre numéro de pièce
1 362 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,590 $ | 4,59 $ |
| Total Prix | 4,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,590 $ |
| 50+ | 3,050 $ |
| 100+ | 2,210 $ |
| 250+ | 2,040 $ |
| 500+ | 1,880 $ |
| 1000+ | 1,810 $ |
| 2500+ | 1,760 $ |
| 5000+ | 1,740 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB55NF06T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine33R1126RL
Bandes découpées33R1126
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id27.5A
Drain Source On State Resistance0.015ohm
On Resistance Rds(on)0.015ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd110W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STB55NF06T4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DCDC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- 100% Avalanche tested
- Exceptional dV/dt capability
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27.5A
On Resistance Rds(on)
0.015ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
110W
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.015ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit