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STB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB8NM60T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine99W9708RL
Bandes découpées99W9708
Votre numéro de pièce
1 039 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,320 $ | 5,32 $ |
| Total Prix | 5,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,320 $ |
| 50+ | 3,110 $ |
| 100+ | 2,870 $ |
| 250+ | 2,690 $ |
| 500+ | 2,510 $ |
| 1000+ | 2,480 $ |
| 2500+ | 2,450 $ |
| 5000+ | 2,280 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB8NM60T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine99W9708RL
Bandes découpées99W9708
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
On Resistance Rds(on)0.9ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd100W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STB8NM60T4 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products.
- 100% Avalanche tested
- High dV/dt and avalanche capabilities
- Low gate input resistance
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
100W
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit