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STD10N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10N60M2
Code Commande51AC9541
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,240 $ |
| 10+ | 1,640 $ |
| 100+ | 1,150 $ |
| 500+ | 0,975 $ |
| 1000+ | 0,915 $ |
| 2500+ | 0,815 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10N60M2
Code Commande51AC9541
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.55ohm
On Resistance Rds(on)0.55ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd85W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
85W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit