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STD10P10F6
MOSFET, P-CH, -100V, -10A, TO252AA-3
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10P10F6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande32AJ8876
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,140 $ |
| 50+ | 1,410 $ |
| 100+ | 0,991 $ |
| 250+ | 0,902 $ |
| 500+ | 0,812 $ |
| 1000+ | 0,754 $ |
| 2500+ | 0,738 $ |
| 5000+ | 0,724 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,14 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD10P10F6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande32AJ8876
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.136ohm
On Resistance Rds(on)0.136ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd40W
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.136ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
40W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.136ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits