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STD120N4F6
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.004 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD120N4F6Copie
Code Commande47AK6927
Gamme de produitSTripFET F6 Series
Votre numéro de pièce
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,520 $ |
| 10+ | 2,380 $ |
| 25+ | 2,170 $ |
| 50+ | 1,980 $ |
| 100+ | 1,770 $ |
| 250+ | 1,660 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
| 1000+ | 1,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,52 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD120N4F6Copie
Code Commande47AK6927
Gamme de produitSTripFET F6 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.004ohm
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit