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STD16N50M2
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 13 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD16N50M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6466
Mise en bobine69AH2687RL
Bandes découpées69AH2687
Gamme de produitMDmesh M2
Votre numéro de pièce
1 747 En Stock
1 747 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,780 $ | 3,78 $ |
| Total Prix | 3,78 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,780 $ |
| 50+ | 2,210 $ |
| 100+ | 1,950 $ |
| 250+ | 1,830 $ |
| 500+ | 1,570 $ |
| 1000+ | 1,480 $ |
| 2500+ | 1,460 $ |
| 5000+ | 1,430 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,430 $ |
| 7500+ | 1,330 $ |
| 12500+ | 1,310 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD16N50M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6466
Mise en bobine69AH2687RL
Bandes découpées69AH2687
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.24ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.24ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit