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STD17NF03LT4
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD17NF03LT4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6467
Mise en bobine26M3508RL
Bandes découpées26M3508
Votre numéro de pièce
6 685 En Stock
6 685 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,170 $ | 1,17 $ |
| Total Prix | 1,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,170 $ |
| 50+ | 0,573 $ |
| 100+ | 0,514 $ |
| 250+ | 0,462 $ |
| 500+ | 0,409 $ |
| 1000+ | 0,375 $ |
| 2500+ | 0,368 $ |
| 5000+ | 0,360 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,427 $ |
| 7500+ | 0,388 $ |
| 12500+ | 0,379 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD17NF03LT4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6467
Mise en bobine26M3508RL
Bandes découpées26M3508
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id17A
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage16V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dV/dt capability
- Low gate charge at 100°C
- Application oriented characterization
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
16V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit