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STD1NK60T4
MOSFET, N CH, 600V, 1A, DPAK
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD1NK60T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6455
Mise en bobine33R1142RL
Bandes découpées33R1142
Votre numéro de pièce
33 852 En Stock
33 852 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,390 $ | 11,95 $ |
| Total Prix | 11,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,390 $ |
| 10+ | 1,540 $ |
| 15+ | 1,440 $ |
| 25+ | 1,340 $ |
| 50+ | 1,250 $ |
| 125+ | 1,060 $ |
| 250+ | 0,958 $ |
| 500+ | 0,853 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,790 $ |
| 7500+ | 0,718 $ |
| 12500+ | 0,704 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD1NK60T4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6455
Mise en bobine33R1142RL
Bandes découpées33R1142
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance8.5ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STD1NK60T4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- Improved ESD capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD1NK60T4
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit