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STD26P3LLH6
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 12 A, 30 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD26P3LLH6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6475
Mise en bobine98Y2470RL
Bandes découpées98Y2470
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Votre numéro de pièce
26 066 En Stock
26 066 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,810 $ | 2,81 $ |
| Total Prix | 2,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,810 $ |
| 50+ | 1,820 $ |
| 100+ | 1,310 $ |
| 250+ | 1,210 $ |
| 500+ | 1,100 $ |
| 1000+ | 1,010 $ |
| 2500+ | 0,899 $ |
| 5000+ | 0,822 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,000 $ |
| 7500+ | 0,923 $ |
| 12500+ | 0,892 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD26P3LLH6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6475
Mise en bobine98Y2470RL
Bandes découpées98Y2470
Gamme de produitDeepGATE STripFET VI
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
40W
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit