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STD60NF55LAT4
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, 60A, 110W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD60NF55LAT4
Code Commande69AH2697
Gamme de produitSTripFET II
Fiche technique
1 161 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,270 $ |
| 10+ | 2,450 $ |
| 25+ | 2,330 $ |
| 50+ | 2,200 $ |
| 100+ | 2,080 $ |
| 250+ | 1,950 $ |
| 500+ | 1,840 $ |
| 1000+ | 1,660 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,27 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD60NF55LAT4
Code Commande69AH2697
Gamme de produitSTripFET II
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd110W
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET II
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET II
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits