Imprimer la page
STD7ANM60N
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 600V, 5A, 45W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD7ANM60NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AH0153RL
Bandes découpées26AH0153
Gamme de produitMDmesh II
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,610 $ | 3,61 $ |
| Total Prix | 3,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,610 $ |
| 50+ | 1,930 $ |
| 100+ | 1,770 $ |
| 250+ | 1,630 $ |
| 500+ | 1,490 $ |
| 1000+ | 1,390 $ |
| 2500+ | 1,360 $ |
| 5000+ | 1,330 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD7ANM60NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AH0153RL
Bandes découpées26AH0153
Gamme de produitMDmesh II
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation45W
Power Dissipation Pd45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD7ANM60N
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit