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STF10N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF10N60M2Copie
Code Commande45AC7550
Gamme de produitMDmesh M2
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,980 $ |
| 10+ | 1,570 $ |
| 100+ | 1,440 $ |
| 500+ | 1,190 $ |
| 1000+ | 1,110 $ |
| 2500+ | 1,060 $ |
| 10000+ | 0,926 $ |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF10N60M2Copie
Code Commande45AC7550
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.55ohm
Drain Source On State Resistance0.55ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
STF10N60M2 is a N-channel power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters. Typical used for switching applications.
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (Coss) profile
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 650V drain-source breakdown voltage at Tjmax
- 4V gate threshold voltage at VDS = VGS, ID = 250µA
- 0.60 ohm static drain-source on-resistance max
- TO-220FP package
- 7.5A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.55ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit