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STF25N60M2-EP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF25N60M2-EPCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7569
Gamme de produitMDmesh M2
Votre numéro de pièce
721 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,380 $ |
| 10+ | 4,830 $ |
| 25+ | 4,490 $ |
| 50+ | 4,140 $ |
| 100+ | 3,930 $ |
| 250+ | 3,750 $ |
| 500+ | 3,560 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,38 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF25N60M2-EPCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande45AC7569
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
On Resistance Rds(on)0.175ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
STF25N60M2-EP is a N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high-frequency converters. Typical applications switching applications and tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz).
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- 600V drain-source breakdown voltage at VGS = 0V, ID = 1mA
- 0.188ohm static drain-source on-resistance max
- 18A drain current (continuous) at TC = 25°C
- TO-220FP package
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STF25N60M2-EP
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit