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STF7N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF7N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande45AC7580
Gamme de produitMDmesh II Plus
Votre numéro de pièce
980 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,620 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 100+ | 1,120 $ |
| 500+ | 0,880 $ |
| 1000+ | 0,804 $ |
| 2500+ | 0,741 $ |
| 10000+ | 0,629 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,62 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF7N60M2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande45AC7580
Gamme de produitMDmesh II Plus
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Drain Source On State Resistance0.86ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd20W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation20W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
20W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
0.86ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour STF7N60M2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit