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STFW3N150.
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, TO-3PF, Through Hole
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184 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,700 $ |
| 10+ | 4,650 $ |
| 25+ | 3,580 $ |
| 60+ | 2,520 $ |
| 120+ | 2,410 $ |
| 270+ | 2,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,70 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTFW3N150.
Code Commande84AC2869
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)6ohm
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd63W
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 1500V, 2.5A N-channel PowerMESH™ power MOSFET in 3 pin TO-3PF package
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4mm typical
- Designed using company’s consolidated strip layout-based MESHOVERLAY™ process
- Suitable for switching applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
On Resistance Rds(on)
6ohm
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
63W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit