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STFW69N65M5
MOSFET, N-CH, 650V, 58A, 150DEG C, 79W
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTFW69N65M5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande69AH2709
Gamme de produitMDmesh V
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,490 $ |
| 10+ | 13,750 $ |
| 25+ | 13,310 $ |
| 50+ | 12,880 $ |
| 100+ | 12,450 $ |
| 250+ | 12,190 $ |
| 500+ | 11,940 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
21,49 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTFW69N65M5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande69AH2709
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation79W
Power Dissipation Pd79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
79W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit