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STH180N10F3-2
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH180N10F3-2
Code Commande94T3412
Gamme de produitStripFET F3
Fiche technique
984 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,800 $ |
| 10+ | 6,520 $ |
| 25+ | 5,980 $ |
| 50+ | 5,450 $ |
| 100+ | 4,910 $ |
| 250+ | 4,450 $ |
| 500+ | 4,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,80 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH180N10F3-2
Code Commande94T3412
Gamme de produitStripFET F3
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance3900µohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleH2PAK-2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd315W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation315W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStripFET F3
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Case Style
H2PAK-2
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
StripFET F3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
315W
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits