Imprimer la page
STH275N8F7-2AG
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, 180A, 315W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH275N8F7-2AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine69AH2746RL
Bandes découpées69AH2746
Gamme de produitSTripFET F7
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,820 $ | 10,82 $ |
| Total Prix | 10,82 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,820 $ |
| 50+ | 6,780 $ |
| 100+ | 6,060 $ |
| 250+ | 5,910 $ |
| 500+ | 5,750 $ |
| 1000+ | 5,640 $ |
| 2500+ | 5,530 $ |
| 5000+ | 5,400 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH275N8F7-2AGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine69AH2746RL
Bandes découpées69AH2746
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd315W
Power Dissipation315W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
315W
No. of Pins
2Pins
Product Range
STripFET F7
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
315W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit