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STL100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0073 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL100N10F7Copie
Code Commande47AK6971
Gamme de produitSTripFET VII DeepGATE Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,790 $ |
| 10+ | 3,310 $ |
| 25+ | 3,030 $ |
| 50+ | 2,740 $ |
| 100+ | 2,460 $ |
| 250+ | 2,310 $ |
| 500+ | 2,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,79 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL100N10F7Copie
Code Commande47AK6971
Gamme de produitSTripFET VII DeepGATE Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd100W
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VII DeepGATE Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
100W
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET VII DeepGATE Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit