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STL225N6F7AG
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, POWERFLAT ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL225N6F7AG
Code Commande47AK6974
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
8 349 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,900 $ |
| 10+ | 4,130 $ |
| 25+ | 3,800 $ |
| 50+ | 3,470 $ |
| 100+ | 3,130 $ |
| 250+ | 2,990 $ |
| 500+ | 2,850 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,90 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL225N6F7AG
Code Commande47AK6974
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Drain Source On State Resistance1200µohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd188W
Power Dissipation188W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
188W
No. of Pins
8Pins
Product Range
STripFET F7 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
1200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
188W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits