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STL33N60DM2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.14 ohm, PowerFLAT, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL33N60DM2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande61AC2107
Gamme de produitMDmesh
Votre numéro de pièce
3 078 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,530 $ |
| 10+ | 6,800 $ |
| 25+ | 6,290 $ |
| 50+ | 5,770 $ |
| 100+ | 5,260 $ |
| 250+ | 5,080 $ |
| 500+ | 4,880 $ |
| 1000+ | 4,760 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
9,53 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL33N60DM2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande61AC2107
Gamme de produitMDmesh
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
On Resistance Rds(on)0.115ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
MDmesh
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit