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STN1NK60Z
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN1NK60ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6504
Mise en bobine33R1236RL
Bandes découpées33R1236
Votre numéro de pièce
7 370 En Stock
7 370 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,790 $ | 1,79 $ |
| Total Prix | 1,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,790 $ |
| 50+ | 0,917 $ |
| 100+ | 0,778 $ |
| 250+ | 0,700 $ |
| 500+ | 0,620 $ |
| 1000+ | 0,568 $ |
| 2500+ | 0,526 $ |
| 5000+ | 0,473 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,529 $ |
| 12000+ | 0,480 $ |
| 20000+ | 0,470 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN1NK60ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6504
Mise en bobine33R1236RL
Bandes découpées33R1236
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id300mA
On Resistance Rds(on)13ohm
Drain Source On State Resistance15ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation Pd3.3W
Power Dissipation3.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 600V, 0.3A N-channel zener protected SuperMESH™ power MOSFET in 4 pin SOT-223 package
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- Gate charge minimized
- ESD improved capability
- Suitable for switching applications
- Achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout
- Significant reduction in on-resistance
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
13ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
3.3W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
Drain Source On State Resistance
15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour STN1NK60Z
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit