Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN1NK60ZCopie
Code Commande
Mise en bobine33R1236
Bandes découpées33R1236
Votre numéro de pièce
4 090 En Stock
7 992 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
94 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
3996 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,240 $ | 1,24 $ |
| Total Prix | 1,24 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 10+ | 0,877 $ |
| 25+ | 0,816 $ |
| 50+ | 0,754 $ |
| 100+ | 0,693 $ |
| 250+ | 0,636 $ |
| 500+ | 0,551 $ |
| 1000+ | 0,465 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTN1NK60ZCopie
Code Commande
Mise en bobine33R1236
Bandes découpées33R1236
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id300mA
Drain Source On State Resistance15ohm
On Resistance Rds(on)13ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation3.3W
Power Dissipation Pd3.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 600V, 0.3A N-channel zener protected SuperMESH™ power MOSFET in 4 pin SOT-223 package
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- Gate charge minimized
- ESD improved capability
- Suitable for switching applications
- Achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout
- Significant reduction in on-resistance
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
15ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300mA
On Resistance Rds(on)
13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
Power Dissipation Pd
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour STN1NK60Z
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
