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STP100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP100N10F7
Code Commande98Y2496
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
77 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,830 $ |
| 10+ | 1,830 $ |
| 100+ | 1,680 $ |
| 500+ | 1,680 $ |
| 1000+ | 1,550 $ |
| 2500+ | 1,550 $ |
| 5000+ | 1,550 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,83 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP100N10F7
Code Commande98Y2496
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.0068ohm
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VII
Qualification-
MSL-
Produits de remplacement pour STP100N10F7
3 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0068ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VII
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit