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STP11NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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73 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,760 $ |
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2,76 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP11NM60NDCopie
Code Commande94T3451
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
On Resistance Rds(on)0.37ohm
Drain Source On State Resistance0.37ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd90W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.37ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
90W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.37ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits