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STP150N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP150N10F7Copie
Code Commande45AC7696
Gamme de produitSTripFET F7
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,580 $ |
| 10+ | 3,480 $ |
| 25+ | 3,380 $ |
| 50+ | 3,280 $ |
| 100+ | 3,190 $ |
| 250+ | 2,980 $ |
| 500+ | 2,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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5,58 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP150N10F7Copie
Code Commande45AC7696
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0036ohm
Drain Source On State Resistance0.0036ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd250W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour STP150N10F7
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
Applications
Medical
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0036ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
250W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
0.0036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit